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PMOS（正極性金屬氧化物半導(dǎo)體）和 NMOS（負(fù)極性金屬氧化物半導(dǎo)體）是兩種基本的 MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），它們的結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用都有顯著的差異。理解這兩種晶體管的特點(diǎn)以及如何選擇它們，在實(shí)際的電子設(shè)計(jì)...

在高頻整流應(yīng)用中，選擇什么MDD 二極管不是簡(jiǎn)單的“耐壓夠就行”，而是必須綜合考慮反向恢復(fù)、正向壓降、漏電、溫升、浪涌能力，以及最終電路效率與 EMI。許多工程師在幾十kHz 以下仍然可以采用普通整流管，但當(dāng)頻率提升到 40kH...

在電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，均衡策略始終是工程團(tuán)隊(duì)必須優(yōu)先處理的問(wèn)題之一。無(wú)論是電動(dòng)兩輪車(chē)、儲(chǔ)能系統(tǒng)還是消費(fèi)類(lèi)鋰電產(chǎn)品，電芯一致性差都會(huì)導(dǎo)致容量無(wú)法完全釋放、整包壽命降低甚至觸發(fā)過(guò)充風(fēng)險(xiǎn)。工程上最常見(jiàn)的兩類(lèi)方...

在各類(lèi)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及控制電路中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體 MOSFET 是最常見(jiàn)的功率器件之一。由于其工作頻率高、電流大、溫升快，一旦出現(xiàn)故障，往往會(huì)造成系統(tǒng)停機(jī)甚至連帶燒毀其他元件。作為MDD FAE，如何快速定位問(wèn)題、判斷失效類(lèi)型...

在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體 MOSFET 作為電池組充放電的開(kāi)關(guān)與保護(hù)核心元件，其導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）參數(shù)對(duì)系統(tǒng)性能有著直接且深遠(yuǎn)的影響。作為MDD FAE，在支持客戶(hù)調(diào)試或可靠性驗(yàn)證過(guò)程中...

在電子電路中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體 普通整流二極管（Rectifier Diode）是最常見(jiàn)、最基礎(chǔ)的器件之一。它廣泛應(yīng)用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、充電器、變換器等各種整流與保護(hù)場(chǎng)景中。盡管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但由于工作環(huán)境、電流特性及設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)不同，整流...

隨著數(shù)字電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜度不斷提升，功耗管理成為了系統(tǒng)設(shè)計(jì)中不可忽視的重要議題。尤其是在移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、嵌入式系統(tǒng)等領(lǐng)域，如何降低功耗以提高能源效率和延長(zhǎng)電池壽命，已成為設(shè)計(jì)過(guò)程中關(guān)鍵的考慮因素之一。對(duì)于M...

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體 邏輯IC（集成電路）扮演著至關(guān)重要的角色，廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)處理、時(shí)序控制、信號(hào)轉(zhuǎn)換等各類(lèi)電路中。隨著技術(shù)的進(jìn)步，不同邏輯系列的IC（如TTL、CMOS、BiCMOS等）不斷被引入市場(chǎng)，它們具有各自的優(yōu)...

在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET 以其高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗而被廣泛應(yīng)用于電源管理、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)及DC-DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。然而，F(xiàn)AE在現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試和失效分析中發(fā)現(xiàn)，柵極電壓異?；蚴Э厥窃斐蒑OSFET失效的常見(jiàn)原因之一。柵極作為控制端，雖...