電壓參數(shù)
漏源擊穿電壓（VDS）：需大于電源輸入電壓峰值，通常留1.5-2倍余量。例如，若輸入電壓為24V，VDS應(yīng)選48V及以上，以應(yīng)對(duì)電壓尖峰和波動(dòng)。
柵源電壓（VGS）：確保驅(qū)動(dòng)電路輸出電壓與MOS管閾值電壓（VGS(th)）匹配，一般VGS(th)需低于驅(qū)動(dòng)電壓，且留一定余量（如驅(qū)動(dòng)電壓為5V，VGS(th)選2-3V）。
電流參數(shù)
最大漏極電流（ID）：根據(jù)負(fù)載電流選型，ID應(yīng)大于負(fù)載峰值電流，建議留1.5-2倍余量。例如，負(fù)載電流為3A，ID選5A及以上。
脈沖電流（IDM）：考慮負(fù)載啟動(dòng)或瞬態(tài)電流沖擊，IDM需大于峰值脈沖電流。
導(dǎo)通電阻（RDS(on)）
RDS(on)越小，導(dǎo)通損耗越低，效率越高。高頻下，RDS(on)的溫度系數(shù)需穩(wěn)定，避免高溫時(shí)電阻大幅增加。建議選擇RDS(on)在mΩ級(jí)別的MOS管，并注意其在最高工作溫度（如125℃）下的阻值變化。
輸入電容（Ciss)
定義關(guān)系：Ciss=Cgs+Cgd（柵源電容+柵漏密勒電容），直接決定柵極電荷（Qg）的充放電時(shí)間。
高頻開(kāi)關(guān)損耗：高頻下，Ciss越大，柵極驅(qū)動(dòng)電路需要更大的電流（I=C·dV/dt）才能快速充放電。若驅(qū)動(dòng)能力不足，會(huì)導(dǎo)致：
導(dǎo)通/關(guān)斷延遲：延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)過(guò)渡時(shí)間，增加開(kāi)關(guān)損耗（如交叉導(dǎo)通損耗）。
開(kāi)關(guān)頻率上限：Ciss過(guò)高會(huì)限制電源的最高工作頻率（例如>1MHz的LLC諧振拓?fù)洌?br />
結(jié)電容Ciss在高頻電源中直接影響效率、可靠性和成本，是選型時(shí)需優(yōu)先評(píng)估的參數(shù)之一，需結(jié)合開(kāi)關(guān)頻率、驅(qū)動(dòng)能力及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)綜合考量。
開(kāi)關(guān)性能
柵極電荷（Qg）：Qg越小，開(kāi)關(guān)速度越快，開(kāi)關(guān)損耗越低。高頻應(yīng)用中，優(yōu)先選擇Qg小于50nC的MOS管。
米勒電容（CGD）：CGD影響開(kāi)關(guān)速度和米勒平臺(tái)損耗，應(yīng)選CGD較小的MOS管，以減少開(kāi)關(guān)時(shí)間。
開(kāi)關(guān)延遲時(shí)間（td(on)/td(off)）：td(on)和td(off)應(yīng)小于10ns，確?？焖夙憫?yīng)。
熱性能
熱阻（RθJA/RθJC）：選擇熱阻低的封裝，如TO-220、TO-247等，或帶有散熱片的封裝。若空間受限，可選DFN等小封裝，但需注意散熱設(shè)計(jì)。
最大功率耗散（PD）：根據(jù)電源功率和散熱條件選型，PD應(yīng)大于實(shí)際功耗，避免過(guò)熱。
封裝與可靠性
封裝類(lèi)型：優(yōu)先選低寄生電感的封裝（如SO-8FL），減少高頻下的寄生參數(shù)影響。若空間緊張，可選DFN封裝，但需注意爬電距離和散熱。
可靠性：選擇知名廠商的產(chǎn)品，確保長(zhǎng)期穩(wěn)定性和抗干擾能力。
應(yīng)用場(chǎng)景
MOSFET在高頻場(chǎng)景中的應(yīng)用非常廣泛，主要應(yīng)用于以下產(chǎn)品：
戶(hù)外儲(chǔ)能、充電寶、點(diǎn)煙器、筆記本、POS機(jī)、無(wú)人機(jī)等
推薦型號(hào)
MDD的高頻功率MOS導(dǎo)通內(nèi)阻低，散熱好，可靠性高。MDD有完整的器件生產(chǎn)線(xiàn)，從材料輸入，到成品輸出，有完善的質(zhì)量體系，全程可控。
電路圖
