12月6日，亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在深圳萬(wàn)麗酒店隆重舉行。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體攜旗下六大產(chǎn)品矩陣精彩亮相，集中展示了整流器件、小信號(hào)器件、保護(hù)器件、MOSFET、SiC、邏輯IC產(chǎn)品，與行業(yè)專家、合作伙伴共同探討電源技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與應(yīng)用實(shí)踐。

一、技術(shù)交流，共謀發(fā)展
在展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，MDD團(tuán)隊(duì)與眾多來(lái)訪者進(jìn)行了深入的技術(shù)交流，針對(duì)客戶在高效電源設(shè)計(jì)、系統(tǒng)可靠性提升、小型化與能效優(yōu)化等方面面臨的挑戰(zhàn)，提供了專業(yè)的半導(dǎo)體解決方案與選型建議。同期由MDD高級(jí)FAE帶來(lái)的主題演講《MDD快恢復(fù)橋-電子產(chǎn)品防電磁干擾的隱形守護(hù)者》詳細(xì)地闡述了電磁兼容性EMC會(huì)對(duì)電子產(chǎn)品帶來(lái)的影響及快恢復(fù)橋的防護(hù)作用。

二、榮獲功率器件行業(yè)優(yōu)秀獎(jiǎng)
在本屆論壇上，MDD憑借專業(yè)的技術(shù)實(shí)力成功斬獲國(guó)產(chǎn)功率器件優(yōu)秀獎(jiǎng)及國(guó)產(chǎn)功率器件行業(yè)新銳獎(jiǎng)。

帶來(lái)的低壓大電流代表產(chǎn)品MDDG03R01G 30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用先進(jìn)的Power Trench工藝與屏蔽柵技術(shù)，在實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻（典型值0.75mΩ @Vgs=10V）的同時(shí)，保持了優(yōu)異的開關(guān)性能與軟體二極管特性。其超高電流能力（連續(xù)電流300A）與極低的反向恢復(fù)電荷（Qrr），使其在服務(wù)器/通信電源同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等高效能應(yīng)用中極具競(jìng)爭(zhēng)力。

三、結(jié)語(yǔ)
此次亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇之旅已落幕，未來(lái)，MDD將繼續(xù)秉持“匠心制造”的理念，專注于技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品升級(jí)，致力于為全球客戶提供更高效、更可靠、更具競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體產(chǎn)品與解決方案，助力能源電子產(chǎn)業(yè)向著更高效、更智能的方向持續(xù)發(fā)展。