儲能系統(tǒng)已成為構建新型電力系統(tǒng)的關鍵環(huán)節(jié)，而電池管理系統(tǒng)（BMS）在儲能中承擔著關鍵角色。
BMS的核心使命是確保電池組安全、高效、長壽。它通過實時監(jiān)測電池電壓、電流、溫度等參數(shù)，實現(xiàn)三大核心保護功能：
1.過充/過放保護：電壓超限時切斷相應MOSFET回路
2.過流/短路保護：極短時間內(nèi)（<100ms）關斷放電MOSFET
3.過溫保護：溫度異常時禁止充放電操作，防止熱失控。
在短路保護場景中，回路內(nèi)阻極小，瞬間電流可達數(shù)百至數(shù)千安培，這對MOSFET的抗沖擊能力提出極高要求。
二、MDD MOSFET在儲能BMS中的關鍵應用
在儲能BMS中，充放電控制和主動均衡是兩大關鍵電路，都離不開高性能的MOSFET。MDD辰達半導體推出的MDDG03R04Q與MDDG04R06Q兩款N溝道MOSFET，輕松應對BMS中的會遇到的挑戰(zhàn)。
1.低導通內(nèi)阻，帶來更高效率
在正常充放電時能顯著減少導通損耗，降低溫升，從而提升整個儲能系統(tǒng)的能量轉換效率，這對于需要長時間運行的儲能設備至關重要。
2.強大的抗浪涌能力，守護系統(tǒng)安全
MDDG03R04Q與MDDG04R06Q具有優(yōu)異的抗浪涌電流能力，能夠承受瞬間的巨大電流沖擊，確保在故障發(fā)生時能快速、可靠地切斷電路，為整個電池包筑起最堅固的安全防線。
3.高溫下性能穩(wěn)定，適應惡劣環(huán)境
MOSFET設計了良好的熱穩(wěn)定性，確保在高溫環(huán)境下依然能保持穩(wěn)定的開關特性，不因溫度升高而性能衰減，適用于各種高溫場景。
4.小封裝，節(jié)省系統(tǒng)空間
采用緊湊的封裝設計，有助于BMS設計工程師優(yōu)化PCB板布局，實現(xiàn)產(chǎn)品的小型化與高集成度。
三、選型推薦
隨著儲能市場向高可靠性、高效率方向發(fā)展，MOSFET作為BMS中的關鍵執(zhí)行器件，其性能直接影響系統(tǒng)安全。MDD的MOSFET產(chǎn)品以其低內(nèi)阻、高抗浪涌和優(yōu)異熱穩(wěn)定性等特性，為儲能BMS提供可靠保障，助力能源結構轉型。
